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半導(dǎo)體激光原理實(shí)驗(yàn)裝置

更新時(shí)間:2024-05-11

產(chǎn)品型號(hào):XRS11-WGL-2

廠家性質(zhì):經(jīng)銷商

訪問(wèn)次數(shù):413

簡(jiǎn)要描述:

儀器參數(shù)

光學(xué)導(dǎo)軌,二維調(diào)節(jié)架,四維調(diào)節(jié)架
泵浦光源 808nm半導(dǎo)體激光器
指示光源 650nm半導(dǎo)體激光器
晶體 KPT Nd:YVO4
輸出鏡及濾光片
激光功率計(jì)指示

半導(dǎo)體泵浦激光原理實(shí)驗(yàn)裝置/半導(dǎo)體激光原理實(shí)驗(yàn)裝置   型號(hào):XRS11-WGL-2

儀器簡(jiǎn)介

  適用于大學(xué)近代物理教學(xué)中非線性光學(xué)實(shí)驗(yàn),本實(shí)驗(yàn)以808nm半導(dǎo)體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對(duì)象,讓學(xué)生自己動(dòng)手,調(diào)整激光器光路,產(chǎn)生1064nm激光。在腔中插入KPT警惕產(chǎn)生532nm倍頻光,觀察倍頻現(xiàn)象,測(cè)量倍頻效率,相位匹配角等基本參數(shù)。從而對(duì)激光原理及激光技術(shù)有一定了解。
   實(shí)驗(yàn)原理同HAD1WGL-1型半導(dǎo)體泵浦激光原理實(shí)驗(yàn)裝置,泵浦激光源強(qiáng)度連續(xù)可調(diào),指示光源He-Ne激光器。





儀器參數(shù)

光學(xué)導(dǎo)軌,二維調(diào)節(jié)架,四維調(diào)節(jié)架
泵浦光源 808nm半導(dǎo)體激光器
指示光源 650nm半導(dǎo)體激光器
晶體 KPT Nd:YVO4
輸出鏡及濾光片
激光功率計(jì)指示

儀器介紹
   WGL-2適用于大學(xué)近代物理教學(xué)中非線性光學(xué)實(shí)驗(yàn),本實(shí)驗(yàn)以808nm半導(dǎo)體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對(duì)象,讓學(xué)生自己動(dòng)手,調(diào)整激光器光路。在諧振腔中插入KTP晶體產(chǎn)生532nm倍頻光,觀察倍頻現(xiàn)象,測(cè)量相位匹配角,閾值等基本參數(shù)。從而對(duì)激光原理及激光技術(shù)有一定的了解。

基本配置及參數(shù): 
編號(hào)
名稱
規(guī)格
件數(shù)
1
導(dǎo)軌主體
長(zhǎng)1m,硬鋁型材
1
2
808半導(dǎo)體激光器
連續(xù)輸出功率:500mW,中心波長(zhǎng):808±10nm,
    偏振態(tài):TE
1
3
氦氖激光器
632.8nm,功率≤1mW
1
4
紅外顯示卡
可觀察0.7~1.6μm的近紅外光
1
5
KTP晶體
透過(guò)波段:0.35~4.5μm,電光系數(shù):γ33=36Pm/V
1
6
Nd:YVO4晶體
摻Nd3+濃度0.1~3.0 atm%,平面度<λ/10@632.8nm
    鍍膜:AR@1064nm,R<0.1%,HT@808nm,T>90%
1
7
光學(xué)元件
輸出鏡(R=50mm),濾光片
各1
8
光功率測(cè)試儀
2μW、20μW、200μW、2mW、
    20mW、200mW六檔功率范圍3位半數(shù)字顯示器
1
9
其他
光源架,四維調(diào)節(jié)架,二維調(diào)節(jié)架,光靶


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